Q:鴻海購併夏普目的
A:夏普(Sharp)是全球TFT LCD面板廠中發展IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,氧化銦鎵鋅)主力,
  鴻海購併夏普,取得IGZO技術,IGZO具量產性、高解析度、省電優勢

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一.IGZO(氧化銦鎵鋅)技術

1.由東京工業大學教授細野秀雄(Hideo Hosono)與日本科學技術振興機構(JST)共同開發

(1)細野秀雄於1995年提出具有高電子移動速率的透明非晶氧化物(TAOS)
之後在室溫下成功製造出以一種TAOS產物:IGZO為基礎的TFT

(2)細野秀雄1999年申請,2001年公告的美國專利06294274號,
「氧化物薄膜(oxide thin film)」,
發明目的是提供一種具有寬間隙(wide gap)或透明度,
以及P-type導電性的氧化物薄膜,在過去是很難形成的,
此種氧化物薄膜主要包含氧化銅與氧化鍶。


(3)2004年,細野秀雄將IGZO運用在TFT
比起以往使用非晶矽的液晶顯示器,電子移動速率高出10倍。
同年11月,該成果被發表在「Nature」。

(4)2005年申請,2011年公告的美國專利7863611號,
「使用非晶氧化物的積體電路(Integrated circuits utilizing amorphous oxides)」,
本發明提供使用透明氧化物薄膜的半導體裝置和電路

2.非結晶氧化銦鎵鋅(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide;a-IGZO)屬於一種薄膜電晶體(TFT)技術,
目前主要用在液晶面板上。

3.IGZO存在著一些本質上的缺點,例如對光、水以及氧都相當敏感,
但其好處在於製程與目前大尺寸面板採用的非晶矽(amorphous silicon;a-Si)液晶面板相同

4.IGZO vs. 非晶矽(a-Si)相比
具備漏電流低,省電性能優於傳統矽材料製作的電晶體
能夠縮小電晶體尺寸,提高液晶面板畫素的開口率,
較易實現解析度高出一倍,電子遷移率快十倍。

5.IGZO vs. LTPS(低溫多矽顯示面板)
LTPS的電子遷移率比IGZO快約十倍,
但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本,
在中大尺寸面板上使用IGZO技術,成本比使用LTPS低很多

6.日本科學技術振興機構(JST)把技術專利於2011年授權予三星電子,
2012年夏普(Sharp)亦獲得授權
目前夏普(Sharp)技術領先一步
三星電子(Samsung Electronics)、友達緊追在後

7.Sharp以細野教授等人所發明的IGZO基礎專利為基礎,
研發出將IGZO應用於液晶面板及進行量產的製造技術,
並從半導體能源研究所(Semiconductor Energy Laboratory)取得相關製造技術的專利,
之後於2012年秋天取得IGZO的商標權,將IGZO變為Sharp的品牌

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二.國立日本科學技術振興機構
Japan Science and Technology Agency
縮寫:JST
人數:1300人

JST性質有點像台灣的中研院
中央研究院 Academia Sinica
所屬部門:總統府
員額:1500人

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三.半導體能源研究所(Semiconductor Energy Laboratory;SEL)

1.日本私人企業,設立於1980年,由山崎舜平創辦,

2.早期主要研發產品為太陽能電池,
並從相關的光學與薄膜技術,擴大到半導體成膜裝置、OLED、可撓式基板。

3.不從事產品製造與行銷,而是以技術研發及專利權授權費維持營運
如與夏普合作CAAC-IGZO技術

4.山崎舜平因專利收入,在2000~2001年間,成為日本納稅額最高的人士之一。
也因專利,與其他公司的專利權訴訟問題不少

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[Reference]
IGZO專利回顧與分析
http://www.pida.org.tw/optolink/optolink_pdf/1020310418.pdf

 

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